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2SD1481-K-AZ

更新时间： 2024-11-25 20:58:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	127K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2SD1481-K-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	70 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	8000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD1481-K-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SD1481

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

• On-chip C-to-B Zener diode for surge voltage absorption

• Low collector saturation voltage: V^CE(SAT)= 1.5 V MAX. (at 1 A)

• Ideal for use in a direct drive from IC to the devices such as OA

and FA equipment and motor solenoid relay printer head drivers

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

Ratings

60 10

7.0

Unit

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

2.0

Collector current

I^C(pulse)*

I^B(DC)

4.0

Base current

0.2

P^T(Tc = 25°C)

P^T(Ta = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

1.5

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢂꢈꢉꢆꢊꢊꢂꢃꢄꢋꢆꢊ

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The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16189EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1481-L	NEC	获取价格	暂无描述
2SD1481-L-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1481-M	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1481-M-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1483	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER,
2SD1483H	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1484	ROHM	获取价格	Medium Power Transistor (50V, 0.5A)
2SD1484K	ROHM	获取价格
2SD1484K	KEXIN	获取价格	Medium Power Transistor
2SD1484K	TYSEMI	获取价格	Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA / 15mA.

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