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2SD1481-L-AZ

更新时间： 2024-11-21 20:58:03
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 127K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2SD1481-L-AZ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：70 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：4000JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SD1481-L-AZ 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON POWER TRANSISTOR  
2SD1481  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)  
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING  
FEATURES  
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)  
• On-chip C-to-B Zener diode for surge voltage absorption  
• Low collector saturation voltage: VCE(SAT) = 1.5 V MAX. (at 1 A)  
• Ideal for use in a direct drive from IC to the devices such as OA  
and FA equipment and motor solenoid relay printer head drivers  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
Ratings  
60 10  
60 10  
7.0  
Unit  
V
VCEO  
V
VEBO  
V
IC(DC)  
2.0  
A
Collector current  
IC(pulse)*  
IB(DC)  
4.0  
A
Base current  
0.2  
A
PT (Tc = 25°C)  
PT (Ta = 25°C)  
Tj  
Total power dissipation  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
15  
W
W
°C  
°C  
1.5  
150  
−55 to +150  
Tstg  
* PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢂꢈꢉꢆꢊꢊꢂꢃꢄꢋꢆꢊ  
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The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No. D16189EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published April 2002 N CP(K)  
Printed in Japan  
2002  
©
1234

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与2SD1481-L-AZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1481-M NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1481-M-AZ NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1483 PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER,
2SD1483H PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1484 ROHM

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 		Medium Power Transistor (50V, 0.5A)
2SD1484K ROHM

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2SD1484K KEXIN

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2SD1484K TYSEMI

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 		Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA / 15mA.
2SD1484K FOSHAN

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 		SOT-23
2SD1484KFRAT146Q ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor

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