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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD1480
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2SD1480

更新时间： 2024-11-25 00:00:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 48K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)

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2SD1480 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

2SD1480 数据手册

 浏览型号2SD1480的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SD1480  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For power amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SB1052  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
2.7±0.2  
Features  
■
●
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory  
linearity  
φ3.1±0.1  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
1.3±0.2  
1.4±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
+0.2  
–0.1  
0.5  
0.8±0.1  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
60  
2.54±0.25  
60  
V
5.08±0.5  
6
V
1
2
3
4
A
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
IC  
2
A
TO–220 Full Pack Package(a)  
Collector power TC=25°C  
25  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICES  
Conditions  
min  
typ  
max  
200  
300  
1
Unit  
µA  
µA  
mA  
V
VCE = 60V, VBE = 0  
VCE = 30V, IB = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
Emitter cutoff current  
VEB = 6V, IC = 0  
Collector to emitter voltage  
IC = 30mA, IB = 0  
60  
35  
70  
VCE = 4V, IC = 0.1A  
VCE = 4V, IC = 1A  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
*
hFE2  
250  
1.2  
2
VBE  
VCE = 4V, IC = 1A  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 2A, IB = 0.2A  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 1MHz  
20  
0.2  
3.5  
0.7  
MHz  
µs  
IC = 1A, IB1 = 0.1A, IB2 = – 0.1A,  
VCC = 50V  
µs  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
70 to 150  
120 to 250  
1
12

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