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2SD1220O(SM)

更新时间: 2024-11-16 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
3页 172K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,150V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-252AA

2SD1220O(SM) 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):1.5 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):10 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):20 MHz
Base Number Matches:1

2SD1220O(SM) 数据手册

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