5秒后页面跳转
2SD1160-Y PDF预览

2SD1160-Y

更新时间: 2024-11-30 13:04:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关电机驱动
页数 文件大小 规格书
4页 190K
描述
TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

2SD1160-Y 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.52外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):150
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD1160-Y 数据手册

 浏览型号2SD1160-Y的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1160-Y的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD1160-Y的Datasheet PDF文件第4页 

与2SD1160-Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1160-Y(2-7B1A) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Pur
2SD1161 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23
2SD1161P4 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23
2SD1161P5 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23
2SD1161P6 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23
2SD1162 PANASONIC

获取价格

NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED DARLINGTON TRANSISTOR
2SD1162 ISC

获取价格

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD1162(V443) NEC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD1162L ISC

获取价格

Transistor
2SD1162M ISC

获取价格

Transistor