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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.9 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1092 | TOSHIBA |
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NPN DOUBLE DIFFUSED TYPE (POWER REGULATOR FOR LINE OPERATED TV) |
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| 2SD1092 | Wing Shing |
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NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DR |
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| 2SD1094 | ETC |
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Power Bipolar Transistors |
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| 2SD110 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SD1101 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1101 | RENESAS |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1101 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1101 | TYSEMI |
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Low Frequency amplifier. Collector-base voltage VCBO 25 V |
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| 2SD1101AB | HITACHI |
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700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1101AB01 | RENESAS |
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700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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