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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.44 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1101ACTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1101ACTR | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SD1101ACUL | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPAK-3 |
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| 2SD1101ACUR | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SD1101B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-236VAR |
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| 2SD1101-B | HITACHI |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1101-B | RENESAS |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1101C | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-236VAR |
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| 2SD1101-C | RENESAS |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1105 | PANASONIC |
获取价格 |
SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON |
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