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2SD110R

更新时间： 2024-09-15 20:57:19

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无锡固电 - ISC		/
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2页	78K
描述
Transistor

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2SD110R 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD110R 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD110

DESCRIPTION

·High Power Dissipation-

: P_C= 100W@T_C= 25℃

·High Current Capability-

: I_C= 10A

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier , power switching ,DC-DC

converter and regulator applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

130

110

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Emitter Current-Continuous

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation @T_C=25℃

Junction Temperature

I_E

-10

I_B

P_C

100

150

-65~150

℃

T_J

Storage Temperature

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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2SD1111-AA	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR 700 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
2SD1111-AB	ONSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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