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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1113 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SD1113 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SD1113(K) | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 300V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB |
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| 2SD1113B | RENESAS |
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4A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
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| 2SD1113C | RENESAS |
获取价格 |
4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
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| 2SD1113D | RENESAS |
获取价格 |
4A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
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| 2SD1113K | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SD1113K | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused |
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| 2SD1114(K) | RENESAS |
获取价格 |
6A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2SD1114K | ETC |
获取价格 |
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