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2SD1112

更新时间: 2024-11-01 21:22:31
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 106K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

2SD1112 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:140 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):10 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzBase Number Matches:1

2SD1112 数据手册

  

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