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2SD1101-B

更新时间: 2024-11-01 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 167K
描述
SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SD1101-B 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.19
JESD-30 代码:R-PDSO-G3端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

2SD1101-B 数据手册

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2SD1101  
Silicon NPN Epitaxial  
REJ03G0775-0200  
(Previous ADE-208-1142)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
Low frequency amplifier  
Complementary pair with 2SB831  
Outline  
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A  
(Package name: MPAK)  
Emitter  
se  
3
ctor  
Note:  
Marking is “AC”.  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Ratings  
Unit  
V
O  
VEBO  
IC  
25  
20  
V
5
V
0.7  
A
Collector peak current  
Collector power dissi
Junction temperature  
iC(peak)  
PC  
1
150  
A
mW  
°C  
°C  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5  

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