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2SD110

更新时间： 2024-09-13 07:31:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	71K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SD110 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	110 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1 MHz	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

2SD110 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD110

DESCRIPTION

·High Power Dissipation-

: P_C= 100W@T_C= 25℃

·High Current Capability-

: I_C= 10A

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier , power switching ,DC-DC

converter and regulator applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

130

110

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Emitter Current-Continuous

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation @T_C=25℃

Junction Temperature

I_E

-10

I_B

P_C

100

150

-65~150

℃

T_J

Storage Temperature

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1101	KEXIN	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SD1101	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SD1101	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SD1101	TYSEMI	获取价格	Low Frequency amplifier. Collector-base voltage VCBO 25 V
2SD1101AB	HITACHI	获取价格	700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1101AB01	RENESAS	获取价格	700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
2SD1101ABTR	RENESAS	获取价格	700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
2SD1101ABUL	RENESAS	获取价格	700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
2SD1101ABUR	RENESAS	获取价格	700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
2SD1101AC	RENESAS	获取价格	700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR