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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 2-16B1A, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 500 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE2330 | NTE |
功能相似  |
Silicon NPN Transistor High Gain Amp w/Internal Zener Diode |
|
| 2SD1641 | PANASONIC |
功能相似 |
SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH DC CURRNT GAIN,HIGH POWER AMPLIFIER TV POWER |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1094 | ETC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistors |
|
| 2SD110 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SD1101 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
|
| 2SD1101 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
|
| 2SD1101 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
|
| 2SD1101 | TYSEMI |
获取价格 |
Low Frequency amplifier. Collector-base voltage VCBO 25 V |
|
| 2SD1101AB | HITACHI |
获取价格 |
700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SD1101AB01 | RENESAS |
获取价格 |
700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
|
| 2SD1101ABTR | RENESAS |
获取价格 |
700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
|
| 2SD1101ABUL | RENESAS |
获取价格 |
700mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
|
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