Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5507-T2

2SC5507-T2

更新时间： 2024-11-28 22:52:47

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
12页	93K
描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD

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2SC5507-T2 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.012 A
基于收集器的最大容量：	0.12 pF	集电极-发射极最大电压：	3.3 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	25000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5507-T2 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

NPN SILICON RF TRANSISTOR

2SC5507

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT,

LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD

FEATURES

•

Low noise and high gain with low collector current

NF = 1.2 dB, G^a= 16 dB TYP. @f = 2 GHz, V^CE= 2 V, I^C= 2 mA

Maximum stable power gain: MSG = 22 dB TYP. @f = 2 GHz, V^CE= 2 V, I^C= 5 mA

f^T= 25 GHz technology

Flat-lead 4-pin thin super mini-mold (t = 0.59 mm)

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Packaging Style

2SC5507

Loose product (50 pcs)

• 8 mm wide emboss taping

• 1 pin (emitter), 2 pin (collector) feed hole direction

2SC5507-T2

Taping product (3 kpcs/reel)

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative (available in 50-pcs units).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Collector to Base Voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

3.3

1.5

°C

tot^Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

T^stg

–65 to +150

Note T^A= +25 °C (free air)

THERMAL RESISTANCE

Item

Symbol

R^{th j-c}

Value

240

Unit

°C/W

Junction to Case Resistance

Junction to Ambient Resistance

R^{th j-a}

650

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P13864EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published March 1999 N CP(K)

Printed in Japan

1999

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5507-T2-A	RENESAS	获取价格	2SC5507-T2-A
2SC5507-T2FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.012A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, SU
2SC5507-T2-FB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
2SC5507-T2FB-A	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5508	NEC	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPE
2SC5508	RENESAS	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5508	UTC	获取价格	NPN
2SC5508(NE662M04)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5508-A	RENESAS	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5508-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,

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