2SC5508

更新时间： 2024-11-27 12:33:15

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

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2SC5508 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.24 pF	集电极-发射极最大电压：	3.3 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.115 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	25000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5508 数据手册

Preliminary Data Sheet

2SC5508

NPN SILICON RF TRANSISTOR

R09DS0055EJ0200

Rev.2.00

FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)

Mar 5, 2013

FEATURES

•

Ideal for low-noise, high-gain amplification applications

NF = 1.1 dB TYP., G_a= 16 dB TYP. @ V_CE= 2 V, I_C= 5 mA, f = 2 GHz

Maximum available power gain: MAG = 19 dB TYP. @ V_CE= 2 V, I_C= 20 mA, f = 2 GHz

f_T= 25 GHz technology adopted

Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package

<R>

ORDERING INFORMATION

Part Number

Order Number

Quantity

Package

Supplying Form

Flat-lead 4-pin

thin-type super

minimold (M04)

(Pb-Free)

•

8 mm wide embossed taping

2SC5508

2SC5508-A

50 pcs (Non reel)

Pin 1 (Emitter), Pin 2 (Collector) face

the perforation side of the tape

2SC5508-T2

2SC5508-T2-A

3 kpcs/reel

2SC5508-T2B 2SC5508-T2B-A 15 kpcs/reel

Remark To order evaluation samples, please contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

3.3

1.5

°C

Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P_tot

115

T_j

150

T_stg

−65 to +150

Note Free air.

THERMAL RESISTANCE

Parameter

Symbol

R_{th j-c}

Ratings

150

Unit

°C /W

Junction to Case Resistance

Junction to Ambient Resistance

R_{th j-a}

650

CAUTION

Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

R09DS0055EJ0200 Rev.2.00

Mar 5, 2013

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与2SC5508相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5508(NE662M04)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5508-A	RENESAS	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5508-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5508-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5508-T2	NEC	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPE
2SC5508-T2	RENESAS	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5508-T2-A	RENESAS	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5508-T2B	RENESAS	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5508-T2B-A	RENESAS	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
2SC5508-T2B-A-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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