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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC, SUPERMINI-4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.035 A | 基于收集器的最大容量： | 0.24 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 3.3 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-F4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 25000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5508-FB-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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| 2SC5508-T2 | NEC |
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NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPE |
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| 2SC5508-T2 | RENESAS |
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NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
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| 2SC5508-T2-A | RENESAS |
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NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
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| 2SC5508-T2B | RENESAS |
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NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
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| 2SC5508-T2B-A | RENESAS |
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NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
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| 2SC5508-T2B-A-FB | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5508-T2B-A-YFB | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5508-T2FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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| 2SC5508-T2FB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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