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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC5511D
2SC5511D PDF预览

2SC5511D

更新时间： 2024-02-20 23:29:49
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体音频放大器晶体管电视
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FN, 3 PIN

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2SC5511D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：TO-220FN包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.53外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PSFM-T3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz

2SC5511D 数据手册

 浏览型号2SC5511D的Datasheet PDF文件第2页 
2SC5511  
Transistors  
For Audio Amplifier output - TV Velosity  
Modulation (160V, 1.5A)  
2SC5511  
zStructure  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
TO-220FN  
4.5  
10.0  
2.8  
φ3.2  
zFeatures  
1) Electrical characteristics of DC current gain hFE is flat.  
2) High breakdown voltage. (BVCEO=160V(Min.), at I  
C
=1mA)  
1.2  
1.3  
3) High f . (Typ. 150MHz, at VCE=10V, I = −0.2A, f=100MHz)  
T
E
4) Wide SOA.  
0.8  
2.54  
(1)Base  
2.54  
0.75  
2.6  
(2)Collector  
(3)Emitter  
( ) ( ) ( )  
1 2 3  
zApplications  
Power amplifier  
Velosity modulation  
zComplements  
PNP  
NPN  
2SC5511  
2SA2005  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
zPackaging specifications and hFE  
Package  
Taping  
−
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
160  
h
FE  
500  
160  
V
2SC5511  
E
5
V
DC  
I
C
1.5  
A
Collector current  
∗1  
hFE values are classified as follows:  
Pulse  
I
CP  
3
A
2
20  
W(Ta=25°C)  
W(Tc=25°C)  
Item  
E
Collector power dissipation  
PC  
hFE  
100 to 200  
Junction temperature  
Storage temperature  
∗1 t=100ms  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
160  
160  
5
−
−
−
−
−
−
−
−
150  
20  
−
−
−
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
200  
−
V
V
I
I
I
C
=1mA  
C=50µA  
V
E
=50µA  
CB=160V  
EB=4V  
I
CBO  
−
−
−
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
CE(sat)  
I
I
C
/I  
B
=1A/0.1A  
=1A/0.1A  
=0.1A  
CE=10V, I =−0.2A , f=100MHz  
CB=10V , I =0A , f=1MHz  
V
BE(sat)  
V
C/I  
B
hFE  
100  
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE=5V, IC  
Transition frequency  
f
T
−
−
E
Collector output capacitance  
Cob  
−
E
1/1  
12

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