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2SC5532A

更新时间： 2024-01-23 03:37:42
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1页 50K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220FN

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2SC5532A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220FN包装说明：TO-220FN, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.77Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：16JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
Base Number Matches：1

2SC5532A 数据手册

  
2SC5532  
Transistors  
High-voltage Switching Transistor  
(400V, 5A)  
2SC5532  
!Features  
CE(sat)  
C
B
1) Low V  
. (Typ. 0.6V at I / I = 5/1A)  
2) High switching speed. (tf : Max. 1µs at Ic =4A)  
3) Wide SOA (safe operating area).  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
400  
400  
7
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
I
C
5
A
Collector current  
I
CP  
7
A
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
W (Tc = 25°C)  
P
C
30  
150  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
-55~+150  
Single pulse, Pw = 100ms.  
*
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SC5532  
Package  
TO-220FN  
h
FE  
AB  
-
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
500  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
400  
400  
-
-
-
-
V
V
I
I
I
C
C
E
= 50µA  
= 1mA  
7
-
-
-
V
= 50µA  
CB = 400V  
EB = 5V  
I
CBO  
-
10  
10  
1
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
-
-
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
V
CE(sat)  
-
-
I
C
/I  
/I  
B
= 5A/1A  
= 5A/1A  
*
*
V
BE(sat)  
-
-
1.5  
V
I
C
B
-
-
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
Output capacitance  
Turn-on time  
h
FE  
16  
-
50  
-
V
V
V
CE/IC = 5V/2A  
f
T
15  
80  
-
MHz  
pF  
µs  
µs  
µs  
CB = 10V , I  
CB = 10V , I  
E
= −0.5A , f = 5MHz  
= 0A , f = 1MHz  
*
Cob  
-
-
E
t
on  
-
1
I
I
C
= 4A , R  
B1 = −IB2 = 0.4A  
CC 200V  
L
= 50Ω  
Storage time  
t
stg  
-
-
2.5  
1
Fall time  
t
f
-
-
V
Measured using pulse current.  
*
1

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