2SC5545

更新时间： 2024-10-01 07:31:15

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瑞萨 - RENESAS		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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描述
Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier

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2SC5545 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	1.1 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	12600 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5545 数据手册

2SC5545

Silicon NPN Epitaxial

VHF / UHF wide band amplifier

REJ03G0747-0200

(Previous ADE-208-746)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Features

•

Excellent inter modulation characteristic

High power gain and low noise figure ;

PG=16dB typ. , NF=1.1dB typ. at f=900MHz

Outline

RENESAS Package code: PLSP0004ZA-A

(Package name: MPAK-4)

1. Collector

2. Emitter

3. Base

4. Emitter

Note: Marking is “ZS-”.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

1.5

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7

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