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2SC5537

更新时间： 2024-01-25 20:13:08
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三洋 - SANYO 放大器
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3页 35K
描述
Low-Voltage, Low-Current High-frequency Amplifier Applications

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2SC5537 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.015 A
集电极-发射极最大电压：6 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：90JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.09 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：5000 MHz
Base Number Matches：1

2SC5537 数据手册

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Ordering number:ENN6340  
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
2SC5537  
Low-Voltage, Low-Current  
High-frequency Amplifier Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Low voltage, low current operation : f =5GHz typ.  
T
(V =1V, I =1mA) : S21e 2=7dB typ (f=1GHz).  
CE  
C
2159  
: NF=2.6dB typ (f=1GHz).  
[2SC5537]  
· Ultrasmall, slim flat-lead package.  
(1.4mm × 0.8mm × 0.6mm)  
1.4  
0.1  
0.25  
3
1
2
0.45  
0.2  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
SANYO : SSFP  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
12  
6
V
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
CEO  
V
1.5  
15  
EBO  
I
mA  
mW  
˚C  
C
Collector Dissipation  
P
80  
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
1.0  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=5V, I =0  
E
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
CE  
CE  
CE  
CE  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=1V, I =0  
10  
EBO  
C
h
=1V, I =1mA  
C
=1V, I =1mA  
C
90  
200  
FE  
f
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
5
GHz  
pF  
T
Cob  
=1V, f=1MHz  
0.55  
7
0.9  
4.5  
| S21e |2  
| S21e |2  
NF1  
1
2
4.5  
dB  
dB  
dB  
dB  
=1V, I =1mA, f=1GHz  
C
=2V, I =3mA, f=1GHz  
C
=1V, I =1mA, f=1GHz  
C
=2V, I =3mA, f=1GHz  
C
Forward Transfer Gain  
10.5  
2.6  
1.9  
Noise Figure  
NF2  
Marking : CN  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
10700TS (KOTO) TA-2425 No.6340–1/3  
123

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