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2SC5525

更新时间： 2024-01-14 04:54:34
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
1页 56K
描述
Transistor

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2SC5525 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：5 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：100最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：10 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SC5525 数据手册

  
2SC5103 / 2SC5525  
Transistors  
High-speed Switching Transistor (60V, 5A)  
2SC5103 / 2SC5525  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
CE(sat)  
1) Low V  
C
(Typ. 0.15V at I / I 3 / 0.15A)  
B =  
2) High speed switching (tf : Typ. 0.1 µs at I 3A)  
C =  
2SC5103  
3) Wide SOA. (safe operating area)  
4) Complements the 2SA1952 / 2SA2006.  
5.5  
0.9  
1.5  
C0.5  
0.8Min.  
(1) Base(Gate)  
1.5  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
2.5  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
9.5  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
100  
Unit  
V
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
5
V
A(DC)  
A(Pulse)  
W
W(Tc=25°C)  
W
5
10  
Collector current  
IC  
*
1
10  
2
25  
2SC5103  
2SC5525  
2SC5525  
Collector power  
dissipation  
10.0  
4.5  
P
C
2.8  
3.2  
φ
W(Tc=25°C)  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
150  
−55 ∼ +150  
°C  
∗
Single pulse Pw=100ms  
1.2  
1.3  
0.8  
2.54  
0.75  
( )  
(1) Base Gate  
2.54  
2.6  
(
) (  
) (  
)
1
2
(
(
)
3
(
)
)
(2) Collector Drain  
(
)
)
(
1
2
3
(3) Emitter Source  
!Packaging specifications and hFE  
ROHM : TO-220FN  
Type  
Package  
2SC5103  
CPT3  
PQ  
2SC5525  
TO-220FN  
EF  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
TL  
2500  
−
500  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Typ.  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Parameter  
−
−
−
−
−
0.15  
−
−
−
−
−
−
−
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
V
V
V
µA  
µA  
V
V
V
V
−
I
I
I
V
V
I
I
I
I
C
C
E
=
=
=
50µA  
1mA  
50µA  
100  
60  
5
−
−
−
−
−
−
82  
100  
−
−
−
10  
10  
0.3  
0.5  
1.2  
1.5  
270  
320  
−
I
CBO  
CB  
=
=
100V  
5V  
I
EBO  
Emitter cutoff current  
EB  
C
/I  
/I  
/I  
/I  
B
=
3A/0.15A  
4A/0.2A  
3A/0.15A  
4A/0.2A  
∗
V
CE(sat)  
BE(sat)  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
C
C
C
B
B
B
=
=
=
∗
∗
∗
V
DC current  
transfer ratio  
2SC5103  
2SC5525  
hFE  
V
CE/IC = 2V/1A  
−
−
MHz  
pF  
µs  
µs  
µs  
f
T
120  
80  
−
−
0.1  
Transition frequency  
Output capacitance  
Turn-on time  
V
V
I
I
V
CB  
CE  
=
=
10V , I  
10V , I  
E
E
=
=
0.5A , f  
0A , f  
=
30MHz  
∗
Cob  
on  
stg  
−
= 1MHz  
t
0.3  
1.5  
0.3  
C
=
=
3A , R  
−IB2  
CC 30V  
L
=
10Ω  
Storage time  
Fall time  
Measured using pulse current.  
t
−
−
B1  
= 0.15A  
t
f
∗
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5526 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220FN
2SC5526F ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC553 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-210AB
2SC5531 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-263AB
2SC5531B ETC

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2SC5532B ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220FN
2SC5534 SANYO

获取价格

 		UHF to S Band Low-Noise Amplifier, OSC Applications
2SC5536 SANYO

获取价格

 		VHF Low-Noise Amplifier , OSC Applications

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