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2SC5408-T1

更新时间: 2024-01-05 09:25:11
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 53K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

2SC5408-T1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.01 A
基于收集器的最大容量:0.15 pF集电极-发射极最大电压:3 V
配置:SINGLEJESD-30 代码:R-PDSO-G6
元件数量:1端子数量:6
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):17000 MHz

2SC5408-T1 数据手册

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2SC5408  
f
T
vs. I  
C
characteristics  
|S21e|2 vs. I  
characteristics  
C
18  
16  
14  
12  
10  
20  
10  
0
V
CE = 2 V  
V
CE = 2 V  
f = 2 GHz  
f = 2 GHz  
8
6
4
2
0
1
10  
- Collector Current - mA  
100  
1
10  
- Collector Current - mA  
100  
I
C
I
C
NF vs. I characteristics  
C
C
re vs. VCB  
0.3  
0.2  
0.1  
0
4
3
2
1
0
f = 1 MHz  
V
CE = 2 V  
f = 2 GHz  
1
10  
- Collector Current - mA  
100  
1
10  
100  
IC  
VCB - Collector to Base Voltage - V  
|S21e|2 vs. f characteristics  
40  
VCE = 2 V  
30  
20  
10  
0
I
C
C
= 7 mA  
= 1 mA  
I
0.1  
0.5  
1.0  
2.0  
2.6  
f - Frequency - GHz  
3

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