Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5408-T1

2SC5408-T1

更新时间： 2024-02-05 15:42:16

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	53K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5408-T1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.01 A
基于收集器的最大容量：	0.15 pF	集电极-发射极最大电压：	3 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	17000 MHz

2SC5408-T1 数据手册

2SC5408

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

ICBO

TEST CONDITIONS

VCB = 5 V, IE = 0

MIN.

TYP.

MAX.

0.1

UNIT

µA

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

0.1

µA

hFE

VCE = 2 V, IC = 7 mA ^{Note 1}

140

Gain Bandwidth Product

Feed-back Capacitance

Insertion Power Gain

Noise Figure

VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2.0 GHz

VCB = 2 V, IE = 0, f = 1 MHz ^{Note 2}

VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2.0 GHz

VCE = 2 V, IC = 1 mA, f = 2.0 GHz

0.1

GHz

Cre

0.15

1.8

|S21e|²

15.5

1.1

Rank

Marking

T1E

70 to 40

hFE

Notes 1. Pulse measurement PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %, pulsed

2. Measured with three-pin bridge, with emitter pin connected to the bridge guard.

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

TOTAL POWER DISSIPATION

vs. AMBIENT TEMPERATURE

COLLECTOR CURRENT

vs. BASE TO EMITTER VOLTAGE

VCE = 2 V

200

100

30 mW

100

150

0.5

1.0

- Ambient Temperature - °C

VBE - Base to Emitter Voltage - V

DC CURRENT GAIN vs.

COLLECTOR CURRENT

vs. COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

500

200

200 µA

180 µA

160 µA

VCE = 2 V

100

140

120 µA

100 µA

80 µA

VCE = 1 V

60 µA

= 20 µA

1.0

2.0

3.0

100

- Collector Current - mA

VCE - Collector to Emitter Voltage - V

123 4 5 6 7 8

下载PDF

与2SC5408-T1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC5408-T1FB	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,	获取价格
2SC5409	NEC	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION	获取价格
2SC5409-T1	NEC	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION	获取价格
2SC5409-T1FB	NEC	暂无描述	获取价格
2SC5410	ETC		获取价格
2SC5410A	ETC		获取价格