5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC, SC-61, 4 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 6 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5288-T1FB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
|
| 2SC5288-T1KB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
|
| 2SC5288-T1-KB | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SC5288-T1KB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
|
| 2SC5289 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER |
|
| 2SC5289(NE69039) | ETC |
获取价格 |
Discrete |
|
| 2SC5289-FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD, |
|
| 2SC5289T1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SOT-143R |
|
| 2SC5289-T1 | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SC5289-T1FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD, |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
