2SC5295GQ

更新时间： 2024-09-15 13:04:19

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	46K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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2SC5295GQ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.065 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5295GQ 数据手册

Transistors

2SC5295

Silicon NPN epitaxial planer type

Unit: mm

For 2 GHz band low-noise amplification

+±.1

±.2

±.1ꢀ

–±.±ꢀ

I Features

• High transition frequency f_T

• Low collector output capacitance C_ob

• SS-mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing.

(±.ꢀ) (±.ꢀ)

1.±±±.1

1.6±±.1

ꢀ°

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-75

°C

SS-Mini Type Package (3-pin)

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

125

Marking Symbol: 3S

T_j

125

T_stg

−55 to +125

I Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Forward current transfer ratio ^*

Transition frequency

Collector output capacitance

Forward transfer gain

Power gain

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

V_CB= 10 V, I_E= 0

V_EB= 1 V, I_C= 0

µA

V_CE= 8 V, I_C= 20 mA

300

f_T

V_CE= 8 V, I_C= 15 mA, f = 1.5 GHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

V_CE= 8 V, I_C= 15 mA, f = 1.5 GHz

V_CE= 8 V, I_C= 7 mA, f = 1.5 GHz

7.0

8.5

0.6

GHz

C_ob

1.0

3.0

| S_21e

GUM

2.2

Noise figure

Note) *: Rank classification

Rank

h_FE

50 to 120

100 to 170

150 to 300

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