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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC5242RTU
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2SC5242RTU

更新时间： 2024-09-13 04:10:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 471K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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2SC5242RTU 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.33
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：17 A
集电极-发射极最大电压：250 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：55JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：130 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

2SC5242RTU 数据手册

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July 2008  
2SC5242/FJA4313  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Applications  
•
•
High-Fidelity Audio Output Amplifier  
General Purpose Power Amplifier  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
High Current Capability: IC = 15A  
High Power Dissipation : 130watts  
High Frequency : 30MHz.  
TO-3P  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
High Voltage : VCEO=230V  
Wide S.O.A for reliable operation.  
Excellent Gain Linearity for low THD.  
Complement to 2SA1962/FJA4213.  
Thermal and electrical Spice models are available  
Same transistor is also available in:  
--TO264 package, 2SC5200/FJL4315 : 150 watts  
--TO220 package, FJP5200 : 80 watts  
--TO220F package, FJPF5200 : 50 watts  
Absolute Maximum Ratings*  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current(DC)  
Base Current  
230  
230  
5
V
V
V
A
A
15  
IB  
1.5  
PD  
Total Device Dissipation(TC=25°C)  
Derate above 25°C  
130  
1.04  
W
W/°C  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature  
- 50 ~ +150  
°C  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Thermal Characteristics* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
0.96  
°C/W  
* Device mounted on minimum pad size  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
hFE1  
55 ~ 110  
80 ~ 160  
© 2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
2SC5242/FJA4313 Rev. A3  
www.fairchildsemi.com  
1
123456

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2SC5242RTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FJA4313RTU FAIRCHILD

完全替代

 NPN Epitaxial Silicon Transistor
2SC5242RTU ONSEMI

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