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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC5249
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2SC5249

更新时间： 2024-02-24 09:03:03
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)

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2SC5249 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.77
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：6 MHz
Base Number Matches：1

2SC5249 数据手册

  
2 S C5 2 4 9  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator and General Purpose  
External Dimensions FM20(TO220F)  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
2SC5249  
2SC5249  
600  
Symbol  
ICBO  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Conditions  
VCB=600V  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
100max  
100max  
600min  
20 to 40  
0.5max  
1.2max  
6typ  
V
600  
IEBO  
VEB=7V  
V
7
V(BR)CEO  
hFE  
IC=10mA  
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
3(Pulse6)  
1.5  
VCE=4V, IC=1A  
IC=1A, IB=0.2A  
IC=1A, IB=0.2A  
VCE=12V, IE=–0.3A  
VCB=10V, f=1MHz  
A
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
V
V
A
PC  
35(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
±0.15  
1.35  
Tj  
MHz  
pF  
±0.15  
1.35  
50typ  
COB  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.2  
2.2  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
tstg  
ton  
tf  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(A)  
(A)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C E  
200  
200  
1
10  
–5  
0.1  
–0.1  
19max  
1.0max  
1.0max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IC Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
3
3
2
1
0
0.5  
IC/IB=5 Const.  
2
1
0
125˚C (Case Temp)  
25˚C (Case Temp)  
–55˚C (Case Temp)  
IB=20mA  
0
0.01  
0
1
2
3
4
0.05  
0.1  
0.5  
1
3
0
0.5  
1.0  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
3
1
200  
100  
50  
30  
125˚C  
25˚C  
tstg  
10  
5
VCC 200V  
IC:IB1:–IB2=10:1:1  
–55˚C  
ton  
tf  
1
0.5  
0.3  
10  
5
0.5  
0.2  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.01  
0.05 0.1  
0.5  
1
3
0.5  
1
3
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
7
5
35  
30  
7
5
1
1
20  
10  
0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
–IB2=–1.0A  
Duty:less than 1%  
0.1  
0.1  
Without Heatsink  
2
0
0.05  
0.05  
10  
50  
100  
500  
10  
50  
100  
500  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
131  
1

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2SC5249 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SD2499 TOSHIBA

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 		NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV)
2SD1508 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL TYPE (PULSE MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIO

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