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2SC5243

更新时间： 2024-09-12 22:40:03

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松下 - PANASONIC		/
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2页	47K
描述
Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)

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2SC5243 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3L
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	15 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5243 数据手册

Power Transistors

2SC5243

Silicon NPN triple diffusion mesa type

For horizontal deflection output

Unit: mm

φ 3.3±0.2

5.0±0.3

20.0±0.5

3.0

Features

■

●

High breakdown voltage, and high reliability through the use of a

glass passivation layer

●

High-speed switching

●

1.5

Wide area of safe operation (ASO)

1.5

2.0±0.3

2.7±0.3

3.0±0.3

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

1.0±0.2

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

0.6±0.2

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

1700

5.45±0.3

10.9±0.5

1700

1:Base

2:Collector

3:Emitter

TOP–3L Package

Peak collector current

Peak base current

I_CP

I_BP

Collector power T_C=25°C

200

P_C

dissipation

Ta=25°C

3.5

Junction temperature

Storage temperature

^*Non-repetitive peak

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 1700V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

µA

Forward current transfer ratio

V_CE= 5V, I_C= 10A

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 10A, I_B= 2.8A

1.5

Transition frequency

Storage time

f_T

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.1A, f = 0.5MHz

I_C= 12A, I_B1= 2.4A, I_B2= –4.8A,

Resistance loaded

MHz

µs

1.5

0.12

2.5

0.2

Fall time

µs

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