2SC5248

更新时间： 2024-09-15 06:17:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	228K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC5248 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC5248

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 160V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SA1964

APPLICATIONS

·Power amplifier applications.

·Driver stage amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

160

UNIT

Collector Current-Continuous

1.5

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

℃

T_J

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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