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2SC5244A

更新时间： 2024-10-29 22:40:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 48K
描述
Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)

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2SC5244A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3L
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：30 A配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

2SC5244A 数据手册

 浏览型号2SC5244A的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SC5244, 2SC5244A  
Silicon NPN triple diffusion mesa type  
For horizontal deflection output  
Unit: mm  
φ 3.3±0.2  
5.0±0.3  
20.0±0.5  
3.0  
Features  
■
●
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a  
glass passivation layer  
●
High-speed switching  
●
1.5  
Wide area of safe operation (ASO)  
1.5  
2.0±0.3  
2.7±0.3  
3.0±0.3  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
1.0±0.2  
Parameter  
Collector to  
base voltage 2SC5244A  
Collector to  
2SC5244  
Symbol  
Ratings  
1500  
1600  
1500  
1600  
6
Unit  
0.6±0.2  
2SC5244  
5.45±0.3  
VCBO  
V
10.9±0.5  
1:Base  
2:Collector  
VCES  
V
emitter voltage 2SC5244A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
1
2
3
3:Emitter  
TOP–3L Package  
VEBO  
ICP  
V
A
A
20  
IC  
30  
Collector power TC=25°C  
200  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3.5  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
1
Unit  
mA  
µA  
Collector cutoff  
VCB = 1500V, IE = 0  
VCB = 1600V, IE = 0  
EB = 5V, IC = 0  
2SC5244  
current  
1
2SC5244A  
Emitter cutoff current  
IEBO  
hFE  
V
50  
12  
3
Forward current transfer ratio  
VCE = 5V, IC = 10A  
IC = 10A, IB = 2.8A  
5
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
V
V
I
C = 10A, IB = 2.8A  
1.5  
Transition frequency  
Storage time  
fT  
tstg  
tf  
VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 0.5MHz  
IC = 12A, IB1 = 2.4A, IB2 = –4.8A,  
Resistance loaded  
3
MHz  
µs  
1.5  
0.12  
2.5  
0.2  
Fall time  
µs  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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