Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5178-T2

2SC5178-T2

更新时间： 2024-01-10 14:39:23

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管微波光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
12页	83K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

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2SC5178-T2 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-61
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.01 A	基于收集器的最大容量：	0.5 pF
集电极-发射极最大电压：	3 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	13500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5178-T2 数据手册

2SC5178

CHARACTERISTICS CURVES (TA = 25 °C)

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

AMBIENT TEMPERATURE

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

VCE = 2 V

200

100

30 mW

100

150

0.5

1.0

– Ambient Temperature – °C

BE – Base to Emitter Voltage – V

COLLECTOR CURRENT vs.

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

DC CURRENT GAIN vs.

COLLECTOR CURRENT

500

200

100

200 µA

180 µA

160 µA

140 µA

120 µA

100 µA

80 µA

CE = 2 V

VCE = 1 V

60 µA

40 µA

IB =20 µA

1.0

2.0

3.0

100

CE – Collector to Emitter Voltage – V

IC – Collector Current – mA

GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.

COLLECTOR CURRENT

INSERTION POWER GAIN vs.

COLLECTOR CURRENT

f = 2 GHz

2 V

CE = 1 V

– Collector Current – mA

IC – Collector Current – mA

1 234 5 6 7...12

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