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2SC4702XV-UR

更新时间： 2024-10-26 13:04:19

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
7页	106K
描述
50mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3

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2SC4702XV-UR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.47	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4702XV-UR 数据手册

Preliminary Datasheet

R07DS0275EJ0400

(Previous: REJ03G0729-0300)

Rev.4.00

2SC4702

Silicon NPN Epitaxial

Mar 28, 2011

Application

High voltage amplifier

Features

•

High breakdown voltage

_CEO= 300 V

•

Small Cob

Cob = 1.5 pF Typ.

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Note:

Marking is “XV–”.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

300

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

R07DS0275EJ0400 Rev.4.00

Mar 28, 2011

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与2SC4702XV-UR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4703	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
2SC4703	RENESAS	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR
2SC4703(NE46234)	NEC	获取价格	Discrete
2SC4703-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4703SE	NEC	获取价格	BJT
2SC4703-SE	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4703-SE-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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