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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC4410
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2SC4410

更新时间： 2024-11-19 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF amplification)

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2SC4410 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.83最大集电极电流 (IC)：0.01 A
集电极-发射极最大电压：7 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.05 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4000 MHz
Base Number Matches：1

2SC4410 数据手册

 浏览型号2SC4410的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SC4410  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For UHF amplification  
Unit: mm  
2.1±0.1  
Features  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
■
●
Allowing the small current and low voltage operation.  
●
High transition frequency fT.  
1
●
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
3
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
2
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
10  
0.2±0.1  
7
V
2
10  
V
1:Base  
2:Emitter  
3:Collector  
EIAJ:SC–70  
S–Mini Type Package  
mA  
mW  
˚C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
50  
Tj  
150  
Marking symbol : 2X  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
1
Unit  
µA  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
Forward current transfer ratio  
Transition frequency  
VCB = 10V, IE = 0  
EB = 1.5V, IC = 0  
IEBO  
hFE  
fT  
V
1
µA  
VCE = 1V, IC = 1mA  
50  
200  
VCE = 1V, IC = 1mA, f = 800MHz  
VCB = 1V, IE = 0, f = 1MHz  
4
GHz  
pF  
Collector output capacitance  
Foward transfer gain  
Cob  
| S21e  
0.4  
6.0  
15  
2
|
VCE = 1V, IC = 1mA, f = 800MHz  
VCE = 1V, IC = 1mA, f = 800MHz  
VCE = 1V, IC = 1mA, f = 800MHz  
dB  
Maximum unilateral power gain  
Noise figure  
GUM  
NF  
dB  
3.5  
dB  
Note: Handle the product with care because this is sensitive to the electrostatic breakdown by its structure.  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4410G PANASONIC

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