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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.17 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4415XC-UR | RENESAS |
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Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC4416 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4416XB | HITACHI |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN |
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| 2SC4416XB-TL | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SC4416XB-UL | HITACHI |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4416XB-UR | HITACHI |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4417 | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planer type(For intermadiate frequency amplification of TV image) |
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| 2SC4417H | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4417TX | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4418 | SANKEN |
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Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose) |
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