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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC4417
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2SC4417

更新时间： 2024-09-20 22:52:43
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松下 - PANASONIC 电视
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For intermadiate frequency amplification of TV image)

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2SC4417 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：35 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：500 MHzBase Number Matches：1

2SC4417 数据手册

 浏览型号2SC4417的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SC4417  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For intermadiate frequency amplification of TV image  
Unit: mm  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
Features  
High transition frequency fT.  
■
●
●
1
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE  
.
●
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
3
2
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
0.2±0.1  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
45  
35  
V
4
50  
V
1:Base  
2:Emitter  
3:Collector  
EIAJ:SC–70  
S–Mini Type Package  
mA  
mW  
˚C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
150  
Tj  
150  
Marking symbol : 2Z  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICEO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
V
Collector cutoff current  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCE = 20V, IB = 0  
10  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
hFE  
IC = 10µA, IE = 0  
45  
35  
4
IE = 1mA, IB = 0  
V
IE = 10µA, IC = 0  
V
Forward current transfer ratio  
VCB = 10V, IE = –10mA  
IC = 20mA, IB = 2mA  
20  
50  
100  
0.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Transition frequency fT  
V
MHz  
pF  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = –1mA, f = 10.7MHz  
500  
Common emitter reverse transfer capacitance Cre  
1.5  
1
12

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