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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.55 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 800 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4414 | SANYO |
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High-Frequency General-Purpose Amp, High-Frequency Power Amp Applications |
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| 2SC4414R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
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| 2SC4414S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
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| 2SC4414T | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
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| 2SC4415 | ETC |
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| 2SC4415XC | HITACHI |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Silicon, NPN |
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| 2SC4415XC-TL | RENESAS |
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Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC4415XC-TR | RENESAS |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Silicon, NPN |
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| 2SC4415XC-UR | RENESAS |
获取价格 |
Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC4416 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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