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2SC4367TZ-E

更新时间: 2024-09-06 06:19:23
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瑞萨 - RENESAS 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 161K
描述
Silicon NPN Epitaxial

2SC4367TZ-E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:LEAD FREE, SC-51, MODIFIED TO-92, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.72
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最高频带:HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):1000 MHzBase Number Matches:1

2SC4367TZ-E 数据手册

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2SC4367  
Silicon NPN Epitaxial  
REJ03G0724-0200  
(Previous ADE-208-1105)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
High Frequency amplifier  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003DC-A  
(Package name: TO-92 Mod)  
1. Emitter  
Collector  
e  
Absolute Maximum Rat
(Ta = 25°C)  
It
Collector to base volt
Collector to emitter vo
Emitter to base voltage  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
30  
20  
3
V
V
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector peak current  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
iC (peak)  
PC  
200  
600  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5  

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