2SC4369

更新时间： 2024-09-06 06:18:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4369 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.8 V

2SC4369 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4369

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·Complement to type 2SA1658

·Good linearity of h_FE

APPLICATIONS

·For general purpose applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_B

Base current

0.3

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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