5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | JESD-30 代码： | R-XSFM-T3 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3866 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3866 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3866 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon Power Transistors |
|
| 2SC3866 | FUJI |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE |
|
| 2SC3866_1 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3866_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SC3866_2014 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SC3867 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
|
| 2SC3867DI | HITACHI |
获取价格 |
Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SC3867DI-TL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
