2SC3873

更新时间： 2024-11-06 06:16:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	124K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3873 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SC3873 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3873

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·High V_CBO

·High speed switching

·Good linearity of h_FE

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·For high speed switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

500

400

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

T_C=25℃

T_a=25℃

100

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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