是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220F17 | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.83 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 3 A |
集电极-发射极最大电压: | 800 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 10 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 40 W | 最大功率耗散 (Abs): | 40 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 4800 ns |
最大开启时间(吨): | 1000 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC3866_1 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2SC3866_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor | |
2SC3866_2014 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor | |
2SC3867 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial | |
2SC3867DI | HITACHI |
获取价格 |
Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR | |
2SC3867DI-TL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 | |
2SC3867DI-TR | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili | |
2SC3868 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN triple diffusion planar type | |
2SC3868 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2SC3868 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |