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2SC3873

更新时间： 2024-09-16 05:56:31

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	118K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3873 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3873

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·High V_CBO

·High speed switching

·Good linearity of h_FE

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·For high speed switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

500

400

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

T_C=25ꢀ

T_a=25ꢀ

100

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_stg

12 3

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