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2SC3870_2014

更新时间： 2024-09-17 01:19:43

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3870_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3870

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High breakdown voltage

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·For high speed switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

500

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

Open base

400

Open collector

I_CM

I_B

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3

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