2SC3886

更新时间： 2024-11-29 06:22:27

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	373K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3886 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SC3886 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3886

DESCRIPTION

·With TO-3P(H)IS package

·High speed

·High voltage

APPLICATIONS

·Horizontal deflection output for high

resolution display

·High speed switching regulator output

applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

1400

Open base

600

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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