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2SC3869

更新时间： 2024-11-05 21:55:35
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松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
Silicon NPN triple diffusion type

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2SC3869 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

2SC3869 数据手册

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Power Transistors  
2SC3869  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For high-speed switching  
Unit: mm  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
2.7±0.2  
Features  
High-speed switching  
■
●
φ3.1±0.1  
●
High collector to base voltage VCBO  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
●
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
1.3±0.2  
1.4±0.1  
+0.2  
–0.1  
0.5  
0.8±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
2.54±0.25  
Collector to base voltage  
500  
5.08±0.5  
1
2
3
500  
V
Collector to emitter voltage  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
400  
V
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
7
V
TO–220 Full Pack Package(a)  
10  
A
IC  
5
A
Base current  
IB  
1.5  
A
Collector power TC=25°C  
35  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
100  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = 500V, IE = 0  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
hFE2  
VEB = 5V, IC = 0  
Collector to emitter voltage  
IC = 10mA, IB = 0  
400  
15  
8
VCE = 5V, IC = 0.1A  
VCE = 5V, IC = 2A  
Forward current transfer ratio  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 2A, IB = 0.4A  
1.0  
1.5  
V
V
IC = 2A, IB = 0.4A  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 1MHz  
15  
MHz  
µs  
0.7  
2.0  
0.3  
IC = 2A, IB1 = 0.4A, IB2 = – 0.8A,  
VCC = 150V  
µs  
µs  
1
123

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