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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | Factory Lead Time： | 4 weeks |
| 风险等级： | 1.1 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-243AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3649S-TD-E | ONSEMI |
功能相似  |
Bipolar Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3649T-TD-H | ONSEMI |
获取价格 |
Bipolar Transistor |
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| 2SC3650 | SANYO |
获取价格 |
High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications |
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| 2SC3650 | HTSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR (NPN) |
|
| 2SC3650 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor |
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| 2SC3650 | SECOS |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
|
| 2SC3650 | TYSEMI |
获取价格 |
High DC current gain (hFE=800 to 3200). Low collector-to-emitter saturation voltage |
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| 2SC3650 | WINNERJOIN |
获取价格 |
TRANSISTOR (NPN) |
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| 2SC3650 | CJ |
获取价格 |
SOT-89-3L |
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| 2SC3650 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-89 |
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| 2SC3650(SOT-89-3L) | CJ |
获取价格 |
Transistor |
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