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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.53 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 800 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 1.5 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 220 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3650(SOT-89-3L) | CJ |
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Transistor |
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| 2SC3650_11 | SECOS |
获取价格 |
1.2 A , 30 V NPN Plastic-Encapsulate Transistor |
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| 2SC3650_15 | WINNERJOIN |
获取价格 |
TRANSISTOR |
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| 2SC3651 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors |
|
| 2SC3651 | TYSEMI |
获取价格 |
High DC current gain High breakdown voltage Low colleotor-to- emitter saturation voltage |
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| 2SC3651 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal |
|
| 2SC3651 | SANYO |
获取价格 |
High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications |
|
| 2SC3651_1 | SANYO |
获取价格 |
High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
|
| 2SC3651-TD-E | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,200MA I(C),SOT-89 |
|
| 2SC3652 | HITACHI |
获取价格 |
SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY AMPLIFIER |
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