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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC3585-T1B
2SC3585-T1B PDF预览

2SC3585-T1B

更新时间： 2024-01-10 04:01:54
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 105K
描述
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR

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2SC3585-T1B 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：PLASTIC, SC-59, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.035 A
基于收集器的最大容量：0.8 pF集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10000 MHz
Base Number Matches：1

2SC3585-T1B 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC3585  
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
The 2SC3585 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in  
low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. The  
2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures. The  
2SC3585 employs direct nitride passivated base surface process (DNP  
process) which is an NEC proprietary new fabrication technique which  
provides excellent noise figures at high current values. This allows  
excellent associated gain and very wide dynamic range.  
(Units: mm)  
2.8±0.2  
1.5  
+0.1  
−0.15  
0.65  
2
1
FEATURES  
3
•
•
NF  
Ga  
1.8 dB TYP.  
9 dB TYP.  
@f = 2.0 GHz  
@f = 2.0 GHz  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)  
Marking  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
20  
10  
V
V
1.5  
V
35  
mA  
mW  
C
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
200  
PIN CONNECTIONS  
1. Emitter  
2. Base  
Tj  
150  
Tstg  
65 to +150  
C
3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
A
TEST CONDITIONS  
VCB = 10 V, IE = 0  
ICBO  
1.0  
1.0  
250  
IEBO  
A
VEB = 1 V, IC = 0  
hFE *  
fT  
50  
100  
10  
VCE = 6 V, IC = 10 mA  
VCE = 6 V, IC = 10 mA  
Gain Bandwidth Product  
Feed-Back Capacitance  
Insertion Power Gain  
Maximum Available Gain  
Noise Figure  
GHz  
pF  
Cre **  
0.3  
8.0  
10  
0.8  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz  
2
S21e  
6.0  
dB  
VCE = 6 V, IC = 10 mA, f = 2.0 GHz  
VCE = 6 V, IC = 10 mA, f = 2.0 GHz  
VCE = 6 V, IC = 5 mA, f = 2.0 GHz  
MAG  
NF  
dB  
1.8  
3.0  
dB  
*
Pulse Measurement PW 350 s, Duty Cycle 2 %  
** The emitter terminal and the case shall be connected to the gurad terminal of the three-terminal capacitance bridge.  
hFE Classification  
Class  
Marking  
hFE  
R43/Q *  
R43  
R44/R *  
R44  
R45/S *  
R45  
50 to 100  
80 to 160  
125 to 250  
* Old Specification / New Specification  
Document No. P10361EJ4V1DS00 (4th edition)  
Date Published March 1997 N  
Printed in Japan  
©
1984  
12345678

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2SC3585-T1B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
934018830215 NXP

功能相似

 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
NE68119-T1-A RENESAS

功能相似

 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, ULTRA SUPER MINIMOLD, PLASTIC PACK
BFR181 INFINEON

功能相似

 NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector curr

与2SC3585-T1B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3587 NEC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
2SC3588 NEC

获取价格

 		NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3
2SC3588K ETC

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 		BJT
2SC3588L ETC

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 		BJT
2SC3588M ETC

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 		BJT
2SC3588-Z KEXIN

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 		NPN Silicon Triple Diffused Transistor
2SC3588-Z TYSEMI

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 		High voltage VCEO=400V Collector to base voltage VCBO 500 V
2SC3588-Z NEC

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 		NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3
2SC3588-Z-AZ NEC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3588-ZK NEC

获取价格

 		BJT

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