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2SC3588

更新时间: 2023-12-18 00:00:00
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日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 242K
描述
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3

2SC3588 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.34外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):3500 ns
最大开启时间(吨):1000 nsBase Number Matches:1

2SC3588 数据手册

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