2SC3590

更新时间： 2024-02-22 23:54:25

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	226K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3590 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	7 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3590 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

2SC3590

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 150V(Min)

·Fast Switching Speed

·Low Saturation Voltage

APPLICATIONS

·Designed for high definition CRT display horizontal deflection

output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

330

150

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_T

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

下载PDF

与2SC3590相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC3591	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SC3591	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SC3591	SANYO	High-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications	获取价格
2SC3595	SANYO	Ultrahigh-Definition CRT Display Applications	获取价格
2SC3595C	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-126	获取价格
2SC3595D	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-126	获取价格