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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 3500 ns | 最大开启时间（吨）： | 1000 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3588-ZM-E2 | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-252VAR |
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| 2SC3588-ZM-E2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-252VAR |
|
| 2SC3588-Z-T1 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI |
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| 2SC3588-Z-T1K | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI |
|
| 2SC3588-Z-T1M | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI |
|
| 2SC3588-Z-T2K | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI |
|
| 2SC3588-Z-T2M | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI |
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| 2SC3589 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
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| 2SC3590 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3591 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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